时间：2025/8/27 17:39:53
阅读：4
PR3BMF11NIPF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点，广泛应用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、电源开关和负载控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：100 V
栅源电压 Vgs：±20 V
漏极电流 Id：11 A
导通电阻 Rds(on)：最大 0.18 Ω @ Vgs=10V
功率耗散：2.5 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220FP
PR3BMF11NIPF 采用先进的 PowerFLAT 封装技术，提供良好的热管理和电气性能。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高系统效率。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和过热保护功能，能够在恶劣的工况下稳定运行。其高耐压特性（100V）使其适用于多种中高压电源转换系统，如开关电源（SMPS）、电机驱动和照明控制系统。
该 MOSFET 还具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频操作。其封装设计优化了散热性能，便于安装在紧凑型电路板上。此外，PR3BMF11NIPF 在制造过程中采用了符合 RoHS 标准的材料，确保环保合规性，适用于各类工业和消费类电子产品。
PR3BMF11NIPF 主要应用于需要高效能和高可靠性的功率管理系统。例如，在开关电源（SMPS）中作为主开关元件，用于提高转换效率并减少发热；在 DC-DC 转换器中用于实现稳定的电压调节；在负载开关和电机驱动电路中，作为高侧或低侧开关，实现对负载的精确控制。此外，它还可用于电池充电器、逆变器和 UPS（不间断电源）系统等场合，满足各种中高压电源管理需求。
STP11NM50N、IRF540N、FDPF11N10T、FQP11N10L
