KF12N60F-U/PS 时间：2025/9/12 10:57:49 阅读：8

KF12N60F-U/PS是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器以及各种高功率电子设备中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有较低的导通电阻和高耐压能力，适用于高效能、高可靠性的电力电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：600V
　　最大漏极电流(ID)：12A（连续）
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.45Ω
　　最大耗散功率(PD)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KF12N60F-U/PS具备多个优异的电气特性和结构设计优势。首先，其600V的高击穿电压使其适用于多种高压电源应用。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻，降低了导通损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。此外，器件的高栅极耐压能力增强了其在复杂电磁环境下的稳定性与可靠性。
　　在热管理方面，KF12N60F-U/PS采用高效散热封装设计，使得在大电流工作条件下也能保持良好的热稳定性。其150W的最大耗散功率允许在较宽的负载范围内稳定运行，而不会出现过热失效问题。
　　从封装角度看，TO-220封装不仅便于安装和散热，而且在工业应用中具有良好的通用性和兼容性，便于替代和维护。

应用

该MOSFET常用于各种电力电子设备中，包括开关电源(SMPS)、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED驱动电源、工业自动化控制系统以及家用电器中的功率控制模块等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，KF12N60F-U/PS特别适用于对效率和可靠性要求较高的中高功率应用场景。