时间：2025/8/27 17:22:39
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PR26MF21NIPF 是一款由STMicroelectronics生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热性能，使其在高频开关应用中表现出色。PR26MF21NIPF 封装在高性能的PowerFLAT 5x6封装中，适用于空间受限的高密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：26V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：1.65mΩ（典型值）
功率耗散：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PR26MF21NIPF 的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件具有较高的额定电流能力，连续漏极电流可达80A，适合高功率密度的设计需求。
该MOSFET的封装采用PowerFLAT 5x6形式，不仅体积小巧，还具备优异的热管理性能，能够有效散热，提升系统稳定性。其工作温度范围宽，从-55°C到150°C，确保了在极端环境下的可靠性。
PR26MF21NIPF 还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。同时，其栅极驱动电压范围宽，支持多种控制电路设计，增强了设计灵活性。
PR26MF21NIPF 广泛应用于各种高功率密度和高效能电源管理系统。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电动工具、无人机等便携式设备的电源管理模块。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电机驱动器和车载逆变器等。
由于其高电流能力和低导通电阻，PR26MF21NIPF 还常用于服务器和电信设备的电源模块，用于提高电源转换效率并减少热量产生。
STL26N3LLH5AG | FDBL26N3L06_F085 | FDBL26N3L06_F155
