时间：2025/9/6 7:03:51
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PR1007G是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的平面技术制造，具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。PR1007G通常采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并适用于表面贴装技术。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极连续电流（ID）：12A（在25℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大值0.007Ω（典型值0.0055Ω）
功耗（PD）：80W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
PR1007G具有多项显著的技术优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流工作条件下功耗最小化，从而提高电源转换效率。该MOSFET的高耐压能力（100V）使其适用于多种中高功率应用，例如DC-DC转换器、电机控制和负载开关。PR1007G采用了先进的封装技术，能够有效散热，提升器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。该器件还具备快速开关特性，降低开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围宽泛，兼容常见的10V和12V驱动电路，增强了设计的灵活性。
PR1007G常用于各类电源管理系统，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池充电器和负载开关模块。由于其高电流能力和低导通损耗，该器件也广泛应用于工业自动化控制系统中的电机驱动和功率开关电路。此外，PR1007G在汽车电子、消费类电子产品和LED照明驱动电路中也有广泛应用。
IRFZ44N, STP12NM50N, FDPF100N10A0, SiHH100N10D
