时间：2025/8/2 7:01:03
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HUFA76409D3S是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专门设计用于高效率电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制电路。其具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A（Tc=25°C）
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大8.0mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D3PAK（TO-252）
HUFA76409D3S具备多项优良特性，包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。其低RDS(on)特性可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用D3PAK封装，具备良好的散热性能，能够在高功率条件下稳定工作。该MOSFET还具有较高的短路耐受能力，增强了其在严苛环境下的可靠性。此外，其栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
HUFA76409D3S的结构采用了先进的沟槽栅技术，提高了器件的耐用性和稳定性。其封装形式便于安装和散热，适合用于各种电源管理应用。此外，该MOSFET的高耐压能力使其在高电压系统中也能保持良好的性能。
该器件广泛应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。此外，HUFA76409D3S也适用于工业自动化设备、汽车电子系统（如车载充电器和DC-DC变换器）以及新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）。由于其高可靠性和高效率，该MOSFET在要求严苛的工业和汽车应用中表现出色。
IRF1404、SiS442DN、NTD4858N
