PR1002T 时间：2025/9/5 16:39:08 阅读：32

PR1002T 是一款常见的双极型晶体管（BJT）阵列器件，内部包含两个独立的NPN晶体管。该器件常用于放大、开关等电子电路应用中，适用于需要双晶体管结构的设计。PR1002T采用16引脚DIP或SOP封装，适合在工业控制、电源管理和信号处理等领域使用。

参数

晶体管类型：NPN x2
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　频率响应：100MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：16引脚 DIP/SOP

特性

PR1002T是一款双晶体管阵列芯片，内部集成了两个完全相同的NPN晶体管，每个晶体管具有独立的引脚连接，便于在电路中实现并行或独立工作。其主要特点是低噪声、高增益和良好的温度稳定性，适用于模拟和数字电路中的放大和开关功能。
　　该芯片的每个晶体管都具备30V的集电极-发射极击穿电压和100mA的最大集电极电流，能够在中等功率条件下稳定工作。其电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的等级划分，可在110至800之间变化，满足不同应用场景的放大需求。
　　PR1002T采用标准的16引脚DIP或SOP封装，便于在印刷电路板（PCB）中布局和焊接，适用于自动化生产流程。此外，该芯片具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在工业环境和消费电子产品中使用。
　　由于其双晶体管结构，PR1002T常用于差分放大器、推挽输出电路、逻辑门电路以及驱动小型继电器或LED显示模块等应用场景。该芯片的高可靠性和广泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种恶劣环境。