时间：2025/12/28 21:11:33
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PQR36 是一款由知名半导体厂商设计制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率、高效率的电源转换系统中。该器件具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业电源等应用场景。PQR36通常采用TO-220或D2PAK等封装形式，便于散热和集成。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：180A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：120nC
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220、D2PAK
PQR36具有极低的导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其高耐压能力确保在瞬态电压波动或负载突变时仍能稳定工作。此外，该MOSFET具备优异的热管理和抗过热能力，能够在高温环境下长时间运行。
该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提高了开关速度和栅极控制能力，有助于降低开关损耗。PQR36的栅极驱动电压范围较宽，通常支持10V至20V之间的驱动电压，便于与多种驱动IC配合使用。
在可靠性方面，PQR36具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性使其特别适用于需要频繁启停或承受冲击负载的应用场合，如电动工具、电动汽车电驱系统和工业伺服电机驱动器等。
PQR36常用于高性能电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及电动车辆的功率控制模块。由于其高效率和高可靠性的特点，该器件在需要高功率密度和良好热管理的系统中尤为受欢迎。
PQR36的替代型号包括STL180N6F7、IRFP2907Z、SiR180LD、IPB180N06S4-03、NTMFS4C10N等具有相似参数和性能的功率MOSFET器件。
