时间：2025/6/25 9:22:11
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G2061Q 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频工作条件下提供优异的性能。
这款功率 MOSFET 的设计目标是满足现代电子设备对高能效和小尺寸解决方案的需求，广泛适用于消费类电子产品、工业设备及汽车电子系统中。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：3800pF
输出电容(Coss)：920pF
反向传输电容(Crss)：130pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
G2061Q 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关性能，适合高频应用场合。
3. 较高的额定电流能力，能够满足大功率需求。
4. 强化了热稳定性，支持在极端温度范围内可靠运行。
5. 内置静电防护电路，增强了器件的鲁棒性。
6. 小型封装选项，有助于节省 PCB 空间。
此外，该芯片还具备出色的雪崩能力和耐用性，确保在异常工作条件下的安全性。
G2061Q 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
3. 电机驱动控制，例如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
4. 负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换与控制部分。
G2061Q 的高性能特性和灵活性使其成为许多高要求应用的理想选择。
IRF260N, FQP50N06L, STP45NF06
