PQ7DV5 是一款由 ROHM(罗姆)半导体公司推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于电源管理和功率转换领域,如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路等。PQ7DV5 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于高效率、小型化电源设计。该器件封装形式为小型的 5 引脚表面贴装封装(SMT),便于高密度 PCB 布局。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(Id):5.0A
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大 28mΩ(在 Vgs=10V)
功耗(Pd):2.0W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:5-Pin SSOP(表面贴装)
PQ7DV5 具备多项优异性能,适用于高效率功率转换应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,特别适用于高电流负载的场合。其次,该器件采用了 ROHM 独家的沟槽式 MOSFET 结构,使电流密度更高,同时保持较低的开关损耗,适合高频开关应用。
此外,PQ7DV5 的封装设计优化了热性能和电气性能,提供良好的散热能力,确保在高功率密度环境下的稳定运行。其 5 引脚 SSOP 封装有助于降低封装电阻和电感,进一步提升整体性能。该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在高电压或瞬态条件下提供更高的可靠性。
从电气特性来看,PQ7DV5 的栅极驱动电压范围较宽(通常支持 4.5V 至 20V),兼容多种驱动器 IC,便于设计人员进行系统集成。同时,其较高的最大工作温度上限(150°C)使其适用于严苛的工作环境,如汽车电子、工业自动化和消费类电子设备中。
PQ7DV5 广泛应用于多种功率电子系统中,主要包括:电源管理模块,如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器;电池管理系统中的负载开关和充放电控制;电机驱动电路中的高边或低边开关;LED 驱动器和负载开关电路;以及工业自动化设备和消费类电子产品中的高效功率控制单元。其高效率、小尺寸和高可靠性使其成为高密度电源设计的理想选择。
Si2302DS, AO3400A, IRF7304, BSS138K