PQ7DV5 时间：2025/8/28 8:23:40 阅读：25

PQ7DV5 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源管理和功率转换领域，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路等。PQ7DV5 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于高效率、小型化电源设计。该器件封装形式为小型的 5 引脚表面贴装封装（SMT），便于高密度 PCB 布局。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：5.0A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 28mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.0W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：5-Pin SSOP（表面贴装）

特性

PQ7DV5 具备多项优异性能，适用于高效率功率转换应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于高电流负载的场合。其次，该器件采用了 ROHM 独家的沟槽式 MOSFET 结构，使电流密度更高，同时保持较低的开关损耗，适合高频开关应用。
　　此外，PQ7DV5 的封装设计优化了热性能和电气性能，提供良好的散热能力，确保在高功率密度环境下的稳定运行。其 5 引脚 SSOP 封装有助于降低封装电阻和电感，进一步提升整体性能。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在高电压或瞬态条件下提供更高的可靠性。
　　从电气特性来看，PQ7DV5 的栅极驱动电压范围较宽（通常支持 4.5V 至 20V），兼容多种驱动器 IC，便于设计人员进行系统集成。同时，其较高的最大工作温度上限（150°C）使其适用于严苛的工作环境，如汽车电子、工业自动化和消费类电子设备中。

应用

PQ7DV5 广泛应用于多种功率电子系统中，主要包括：电源管理模块，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器；电池管理系统中的负载开关和充放电控制；电机驱动电路中的高边或低边开关；LED 驱动器和负载开关电路；以及工业自动化设备和消费类电子产品中的高效功率控制单元。其高效率、小尺寸和高可靠性使其成为高密度电源设计的理想选择。