时间：2025/9/2 22:48:37
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3N114 是一款常见的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率电子设备中。它具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合中等功率的高频开关应用。该器件采用TO-92封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于多种工业和消费类电子应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-92
3N114 MOSFET具有良好的开关性能和热稳定性，适用于高频开关电路。其100V的漏源电压使其能够适应较高的电压应用环境，同时100mA的连续漏极电流适合中等功率控制应用。该器件具备较高的输入阻抗，降低了驱动电路的复杂度。此外，其TO-92封装形式便于手工焊接和在小型电路板上的安装，适用于原型设计和小功率应用。3N114还具有良好的抗干扰能力和较长的使用寿命，适用于各种环境条件下的稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，确保了在不同控制电路中的兼容性。其300mW的功耗设计有助于降低整体系统的能耗，提高能效。由于其广泛的应用历史，3N114在市场上具有较高的可获得性和成熟的技术支持，适合工程师在设计中使用。
3N114常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、LED驱动器、电子负载开关、继电器驱动以及各种小型电源管理系统。由于其TO-92封装的紧凑性，也常用于便携式电子产品、传感器控制电路、低功耗嵌入式系统等场合。在工业自动化控制和家电控制电路中，3N114也经常被用作低边开关，实现对负载的高效控制。
2N7000, 2N3904, BS170, IRFZ44N
