时间：2025/5/12 17:29:08
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NGTG25N120FL2WG 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体旗下标准产品部门）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的功率技术，适用于高频开关和低功耗应用领域。其额定电压为 120V，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用场景。
该型号属于 LFPAK56 封装系列，具备出色的热性能和电气性能。同时，它还满足汽车级 AEC-Q101 标准要求，确保在严苛环境下的可靠性。
最大漏源极电压：120V
连续漏极电流：25A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ
栅极电荷：17nC
开关速度：快速
封装类型：LFPAK56 (PowerSON 8x8)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
结温：175℃
NGTG25N120FL2WG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，非常适合开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高度可靠的 LFPAK56 封装设计，提供卓越的散热性能和坚固耐用性。
4. 宽泛的工作温度范围使其能够在极端条件下保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
6. AEC-Q101 认证确保了其在汽车应用中的高可靠性。
这款 MOSFET 广泛应用于多个领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统，例如电池管理系统 (BMS) 和车载充电器。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 电信设备中的高效电源转换模块。
6. 便携式电子产品中的同步整流和功率管理解决方案。
NTMG25N120L2G
NTMG25N120L2WG
