PQ7DV10B 时间：2025/8/28 5:51:50 阅读：19

PQ7DV10B是一款由Renesas（瑞萨电子）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高性能功率转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高频率和高电流条件下稳定工作。PQ7DV10B广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：7.5A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值10mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPak）
　　晶体管配置：单管

特性

PQ7DV10B具有多项显著的性能优势，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下功率损耗最小化，从而提高了整体系统的效率。此外，该MOSFET具备高耐压特性，能够承受高达100V的漏源电压，适用于中高压功率转换系统。其TO-252封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接，适合自动化生产流程。该器件还具有快速开关能力，适用于高频开关电源和同步整流应用。PQ7DV10B的栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种常见的驱动电路设计，增强了设计灵活性。
　　在可靠性方面，PQ7DV10B经过严格测试，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用环境。其最大连续漏极电流为7.5A，且在高温度下仍能保持良好的导通性能。器件内部采用了优化的沟槽结构，有助于降低开关损耗并提高热稳定性，延长使用寿命。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，能够在突发过压或负载突变情况下保持稳定运行。

应用

PQ7DV10B适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下领域：在电源管理系统中，可用于构建高效率的DC-DC降压/升压转换器、同步整流器以及负载开关；在工业自动化设备中，作为电机驱动电路中的主开关元件，实现精确的速度和扭矩控制；在电池管理系统中，用于电池充放电控制和保护电路；在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器中，作为高效能电源开关；在汽车电子领域，可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用。由于其优异的热管理和高可靠性，PQ7DV10B也适用于需要长时间高负载运行的工业和车载设备。