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PQ7DV10B 发布时间 时间:2025/8/28 5:51:50 查看 阅读:10

PQ7DV10B是一款由Renesas(瑞萨电子)推出的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高性能功率转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,能够在高频率和高电流条件下稳定工作。PQ7DV10B广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):7.5A
  导通电阻(Rds(on)):最大值10mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):100W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-252(DPak)
  晶体管配置:单管

特性

PQ7DV10B具有多项显著的性能优势,首先其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下功率损耗最小化,从而提高了整体系统的效率。此外,该MOSFET具备高耐压特性,能够承受高达100V的漏源电压,适用于中高压功率转换系统。其TO-252封装不仅提供了良好的散热性能,还便于在印刷电路板(PCB)上安装和焊接,适合自动化生产流程。该器件还具有快速开关能力,适用于高频开关电源和同步整流应用。PQ7DV10B的栅极驱动电压范围为±20V,兼容多种常见的驱动电路设计,增强了设计灵活性。
  在可靠性方面,PQ7DV10B经过严格测试,能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用环境。其最大连续漏极电流为7.5A,且在高温度下仍能保持良好的导通性能。器件内部采用了优化的沟槽结构,有助于降低开关损耗并提高热稳定性,延长使用寿命。此外,该MOSFET具有良好的抗雪崩能力,能够在突发过压或负载突变情况下保持稳定运行。

应用

PQ7DV10B适用于多种功率电子系统,包括但不限于以下领域:在电源管理系统中,可用于构建高效率的DC-DC降压/升压转换器、同步整流器以及负载开关;在工业自动化设备中,作为电机驱动电路中的主开关元件,实现精确的速度和扭矩控制;在电池管理系统中,用于电池充放电控制和保护电路;在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器中,作为高效能电源开关;在汽车电子领域,可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块等应用。由于其优异的热管理和高可靠性,PQ7DV10B也适用于需要长时间高负载运行的工业和车载设备。

替代型号

[
   "R6004END",
   "FDD8880",
   "SiR144DP-T1-GE3"
  ]

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PQ7DV10B参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - 线性
  • 系列-
  • 稳压器拓扑结构正,可调式
  • 输出电压1.5 V ~ 7 V
  • 输入电压3 V ~ 10 V
  • 电压 - 压降(标准)-
  • 稳压器数量1
  • 电流 - 输出10A
  • 电流 - 限制(最小)-
  • 工作温度-20°C ~ 80°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件
  • 其它名称425-1755-5