时间：2025/8/5 17:35:20
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IXTT140N075L2HV-TR 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高效能电源转换系统，例如 DC-DC 转换器、电池充电器和电机控制应用。该器件设计用于提供高效率和高可靠性，并采用先进的技术来降低导通和开关损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流 (Id)：140A（最大）
漏-源电压 (Vds)：75V
栅-源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：典型值 2.2mΩ（在 Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
IXTT140N075L2HV-TR 采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，提供极低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其 75V 的漏-源击穿电压使其适用于中高功率 DC-DC 转换器和电源管理系统。该 MOSFET 的额定漏极电流高达 140A，在高负载条件下依然能够保持稳定运行。此外，其 ±20V 的栅极电压容限确保了在各种工作条件下的栅极稳定性，减少了因过压而损坏的风险。
该器件采用 TO-263 封装，支持表面贴装工艺，适合自动化生产，同时具备良好的热管理能力。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 175°C）使得 IXTT140N075L2HV-TR 能够在恶劣的环境条件下可靠工作。此外，该器件的封装设计优化了散热性能，有助于提高整体系统的稳定性和寿命。
在开关性能方面，IXTT140N075L2HV-TR 设计用于降低开关损耗，使其适用于高频开关应用。其快速的开关速度有助于减少能量损耗并提高系统效率，同时降低了对散热器的需求。这使得该 MOSFET 成为各种高性能电源转换系统的理想选择。
IXTT140N075L2HV-TR 常用于各类高效能电源系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、电池充电器、UPS（不间断电源）、电机控制器和服务器电源。在服务器和通信设备的电源管理模块中，该 MOSFET 可用于同步整流电路，以提高转换效率并减少发热。此外，该器件也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换环节。
由于其高电流能力和低导通电阻，IXTT140N075L2HV-TR 在大功率负载开关和电机驱动应用中表现优异。例如，在电动汽车充电系统中，该 MOSFET 可用于主功率开关，实现高效的能量传输。在工业自动化系统中，它可用于控制电机和执行器的电源，提供稳定可靠的开关控制。
此外，该器件也适用于负载开关和热插拔保护电路，能够在系统热插拔时提供快速的响应和保护功能。其高可靠性和宽工作温度范围使其在工业控制、航空航天和汽车电子等对可靠性要求较高的领域中得到广泛应用。
SiS140AN, IPUH140N08AP3, NVTFS5C471NL
