时间：2025/8/28 2:59:24
阅读：3
PQ5TS1G是一种场效应晶体管（FET），主要用于功率管理和开关电路中。该晶体管由ROHM Semiconductor制造，采用P沟道MOSFET结构，适用于需要高效能和低功耗的应用场景。其设计旨在提供高可靠性和耐用性，使其成为工业控制、消费类电子和汽车电子领域的理想选择。
晶体管类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
最大漏极电流(Id)：-1.0A
导通电阻(Rds(on))：350mΩ（最大值）
功率耗散(Pd)：200mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSMT6
PQ5TS1G具有低导通电阻，使得在高电流条件下能够减少功率损耗，提高能效。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电路的工作效率。该器件的封装形式为TSMT6，尺寸紧凑，便于在空间受限的应用中使用。PQ5TS1G还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于要求高可靠性的应用场合。
PQ5TS1G广泛应用于各种电子设备中，包括便携式电子产品、电池供电设备、电源管理系统、DC-DC转换器以及负载开关电路。其低功耗和高可靠性也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明控制和车身电子模块。
Si2301DS、AO3401A、FDV303P
