时间：2025/5/13 8:35:42
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BAS21HT3G是一种小信号NPN晶体管，广泛应用于高频和低噪声放大电路中。该晶体管具有高增益、低噪声系数和良好的线性特性，适合于无线通信设备、射频模块和其他高频电子设备中的应用。其封装形式通常为SOT-23，有助于节省空间并适用于表面贴装技术（SMT）。BAS21HT3G的高可靠性和稳定性使其成为许多高性能应用的理想选择。
集电极-发射极电压VCEO：40V
集电极-基极电压VCBO：50V
发射极-基极电压VEBO：6V
最大集电极电流IC：200mA
直流电流增益hFE：120~450
特征频率fT：1GHz
功耗Ptot：350mW
BAS21HT3G采用先进的半导体制造工艺，具备以下关键特性：
1. 高频率响应，特征频率达到1GHz，适合射频和高频信号处理。
2. 直流电流增益范围宽（120~450），能够在不同工作条件下提供稳定的性能。
3. 封装紧凑，使用SOT-23小型化封装，非常适合便携式和空间受限的设计。
4. 具有较低的噪声系数，适合用于低噪声放大器（LNA）和其他对信号质量要求较高的场景。
5. 可靠性高，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
BAS21HT3G主要应用于以下领域：
1. 射频和无线通信设备中的低噪声放大器。
2. 高频开关电路和振荡器设计。
3. 便携式电子产品中的信号调节和放大功能。
4. 消费类电子设备中的音频和视频信号处理。
5. 工业控制和传感器接口中的信号调理电路。
BAS21, MMBT2222A, BC847
