时间：2025/5/8 19:19:23
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IPB073N15N5 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由 Infineon Technologies 生产。该器件采用 TO-252 封装形式，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。其低导通电阻和快速开关性能使得它在高效能电力电子设备中表现出色。
IPB073N15N5 的主要设计目标是为中低压应用提供高效的解决方案，同时确保高可靠性和稳定性。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：7.3A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：14nC
总功耗：2.2W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
IPB073N15N5 具有以下显著特点：
1. 低导通电阻（Rds(on)），从而降低导通损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，能够适应高频应用场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
5. 内部采用了先进的沟槽式技术，优化了电气性能。
6. 它的低栅极电荷允许使用更简单的驱动电路，同时减少开关损耗。
这些特性使 IPB073N15N5 成为众多中小功率应用的理想选择。
这款 MOSFET 可广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 各类电机驱动电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的功率管理。
6. LED 驱动器及逆变器。
由于其出色的电气特性和可靠性，IPB073N15N5 在消费类电子产品、工业自动化以及汽车辅助系统中均有广泛应用。
IPD074N15N5, IPP074N15N3G
