类型：IGBT 模块
　　拓扑结构：单管（Single）
　　额定集电极电流（Ic）：50A
　　额定阻断电压（VCES）：600V
　　导通压降（VCEsat）：约1.75V（典型值）@ Ic=50A, Tj=25℃
　　二极管正向电压（VF）：约1.8V（典型值）@ If=50A
　　最大工作温度：150℃
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　安装方式：PCB 表面贴装
　　短路耐受能力：5倍额定电流，持续时间约10μs
　　工作温度范围：-40℃ ~ +150℃
　　隔离电压：2500Vrms（1分钟）
　　热阻（Rth）：模块结至外壳约0.35℃/W

PQ50-20S-FL(01) 是一款高性能的 IGBT 模块，具有多项优异特性。首先，该模块采用了先进的沟槽栅场阻断（Trench Field Stop）技术，显著降低了导通压降和开关损耗，提高了整体效率。这种技术使得模块在高负载条件下依然保持较低的功耗，有助于提高系统的整体能效。
　　其次，PQ50-20S-FL(01) 的封装设计提供了良好的电气隔离和机械稳定性。其双列直插式（DIP）封装结构不仅支持 PCB 表面贴装，还确保了良好的散热性能。模块的内部芯片采用多芯片并联设计，提高了电流承载能力，同时增强了模块的可靠性。
　　此外，该模块具有较高的短路耐受能力，能够在极端工况下保护系统免受损坏。其短路耐受能力可达额定电流的5倍，持续时间约为10微秒，这使得 PQ50-20S-FL(01) 非常适合用于需要高可靠性的工业设备。模块的封装材料也经过优化，能够承受较高的热应力，确保在频繁开关操作下的长期稳定性。
　　在电气性能方面，PQ50-20S-FL(01) 的最大阻断电压为600V，额定集电极电流为50A，适用于中高功率的应用场景。其典型的导通压降约为1.75V，在高电流条件下仍能保持较低的损耗。同时，模块内部集成的反并联二极管具有低正向压降和快速恢复特性，有助于减少能量损耗并提高系统的动态响应。
　　最后，该模块的封装设计符合 RoHS 环保标准，支持环保制造流程，适用于各种现代工业设备。

PQ50-20S-FL(01) 主要应用于中高功率的电力电子系统，如工业电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备、电梯控制系统、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。由于其高可靠性和优异的电气性能，它在需要高效能和高稳定性的工业自动化和能源转换系统中得到了广泛应用。此外，该模块也适用于需要频繁开关操作的场合，如伺服电机控制、电能质量调节设备和功率因数校正装置。

PQ50-20S-FL, PM50CL1A060, SKM50GB060D, IRAM50UP60B