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DDTC123YE-7-F 发布时间 时间:2025/10/31 14:52:36 查看 阅读:17

DDTC123YE-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的双极结型晶体管(BJT),具体为PNP型晶体管,采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装。该器件主要设计用于通用开关和放大应用,具有良好的电流增益和快速的开关响应特性。其集成的电阻器配置使其在电路设计中能够简化外围元件需求,从而节省PCB空间并提高系统可靠性。该型号后缀中的“-7-F”通常表示卷带包装(Tape and Reel),适用于自动化贴片生产流程。
  DDTC123YE-7-F内部结构为单个PNP晶体管,并在其基极和发射极之间集成有电阻网络,这种内置偏置电阻的结构使其特别适合用作逻辑电平转换、驱动LED、继电器控制以及小信号开关等场景。由于其高集成度和小尺寸封装,广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品、通信模块及工业控制电路中。

参数

类型:PNP 晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):4V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):200mW
  直流电流增益(hFE):68 - 470
  过渡频率(fT):200MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23 (SC-59)
  电阻器配置:内置基极-发射极电阻
  基极电阻(R1):47kΩ
  发射极电阻(R2):47kΩ

特性

DDTC123YE-7-F具备内置偏置电阻的PNP晶体管结构,这一设计显著降低了外部元件数量,提高了电路设计的简洁性和稳定性。其基极与发射极之间分别集成了47kΩ的电阻,使得该器件可以直接通过数字逻辑信号驱动,无需额外配置基极限流电阻或下拉电阻,非常适合用于微控制器I/O端口驱动负载的应用场景。这种集成化设计不仅减少了PCB布局复杂度,还提升了整体系统的抗干扰能力。
  该器件具有高达50V的集电极-发射极击穿电压,在低电压、低电流的开关应用中表现出优异的可靠性和耐压能力。其最大集电极电流可达100mA,足以驱动小型继电器、指示灯LED或作为其他晶体管的预驱动级使用。同时,其直流电流增益(hFE)范围宽广(68至470),确保在不同工作条件下仍能保持稳定的放大性能。
  频率响应方面,DDTC123YE-7-F的过渡频率(fT)为200MHz,表明其具备一定的高频开关能力,可用于中频放大或高速数字开关电路中。尽管它不是专为射频应用设计的器件,但在一般的小信号处理场合下仍能提供良好的动态响应表现。
  SOT-23封装具有体积小、热阻适中、易于自动化装配的优点,符合现代电子产品对微型化和高密度组装的需求。此外,该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,保证了其在恶劣环境下的长期稳定运行,适用于工业级和汽车级应用场景。
  DDTC123YE-7-F符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,体现了对环境友好制造工艺的支持。其可靠的制造工艺和严格的质量控制体系确保产品具有一致的电气特性和长寿命,是替代传统分立晶体管加外接电阻方案的理想选择。

应用

DDTC123YE-7-F广泛应用于各类需要小型化、高集成度晶体管解决方案的电子系统中。常见用途包括微控制器输出端的电平转换与驱动电路,例如将3.3V或5V逻辑信号用于控制更高电压负载(如12V继电器或LED阵列)。由于其内置偏置电阻,可直接连接GPIO引脚而无需额外电阻,极大简化了设计流程。
  在便携式消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,该器件常被用于电源管理中的负载开关、背光调节电路或传感器使能控制。其低功耗特性和小型封装非常契合这类对空间和能耗敏感的应用。
  此外,该晶体管也适用于工业控制领域的信号隔离、继电器驱动、逻辑门接口以及电源通断控制等任务。在通信设备中,可用于线路驱动、状态指示或信号整形电路。
  由于其具备良好的温度稳定性和抗噪能力,也可用于汽车电子系统中的车身控制模块(BCM)、车灯控制单元或车载信息娱乐系统的辅助开关电路。总之,任何需要一个简单、可靠且节省空间的PNP开关解决方案的场合,DDTC123YE-7-F都是一个理想的选择。

替代型号

MMBT3906
  FMMT718
  BC857B
  DTC123EK

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DDTC123YE-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)33 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-523
  • 供应商设备封装SOT-523
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DDTC123YE-FDITR