时间：2025/8/28 22:06:52
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PQ20WZ5UJ00H 是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源管理应用。该器件采用高性能的硅基技术，具备低导通电阻、高功率密度以及优异的热稳定性。PQ20WZ5UJ00H专为满足汽车电子、工业电源以及DC-DC转换器等高要求应用的需求而设计，适用于高电流、高频工作的场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
最大漏极电流(ID)：5.6A（连续）
导通电阻(RDS(on))：0.043Ω @ VGS=4.5V
阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSMT6（表面贴装）
PQ20WZ5UJ00H 具备多项高性能特性，使其在功率MOSFET市场中表现出色。首先，其导通电阻RDS(on)极低，仅为0.043Ω，在VGS=4.5V时即可实现高效的导通状态，有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET的漏源电压为20V，适用于中低压应用，例如DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备。
其次，PQ20WZ5UJ00H采用了ROHM的先进封装技术，确保了良好的热管理性能。TSMT6封装不仅具有紧凑的尺寸，还具备良好的散热能力，有助于在高电流工作条件下维持较低的温度上升，从而提高整体系统的稳定性和可靠性。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至12V之间正常工作，提供了更大的设计灵活性。
PQ20WZ5UJ00H 主要应用于汽车电子、工业电源、便携式设备以及DC-DC转换器等高效率电源管理系统。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载充电器、电动助力转向系统等关键部件的电源管理部分。在工业应用中，它常用于开关电源、电机驱动和负载开关控制等场合，能够提供高效的电能转换与管理能力。此外，由于其紧凑的封装和优异的热性能，PQ20WZ5UJ00H也广泛应用于便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中。在DC-DC转换器方面，该MOSFET的低导通电阻和高开关速度特性使其成为高效同步整流器和功率开关的理想选择。
RQ20WZ5UJ00H, RQ20WZ5UJ00C, SQJ482EP-T1_GE3
