类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：约28mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：2.5W（在25℃环境温度下）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

PQ20WZ5U（20WZ51）具有多项优良特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统的能效。其次，该MOSFET的高电流承载能力使其适用于高负载环境，确保在大电流条件下仍能保持稳定运行。此外，PQ20WZ5U采用了先进的硅技术，提供了良好的热稳定性，即使在高温环境下也能维持较低的热阻，从而延长器件的使用寿命。
　　该器件的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适合表面贴装（SMT）工艺，提高了PCB布局的灵活性。PQ20WZ5U还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗并提升响应速度。其栅极驱动电压范围较宽，支持10V左右的标准驱动电压，便于与常见的驱动IC配合使用。
　　此外，PQ20WZ5U具有较高的抗雪崩能力，能够在突发的电压尖峰情况下保持稳定工作，增强了系统的可靠性和安全性。其内部结构设计优化了电场分布，降低了寄生电容，从而减少了高频工作时的开关损耗，进一步提升了整体性能。

PQ20WZ5U（20WZ51）适用于多种功率电子系统，尤其适合需要高效能和高稳定性的应用场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、电源管理模块以及各类工业自动化设备中的功率控制部分。该MOSFET也可用于消费类电子产品中的电源管理单元，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机充电电路等。由于其高可靠性和良好的热管理能力，PQ20WZ5U在汽车电子系统中也有广泛应用，例如车载充电器、LED照明驱动、车载逆变器等。

Si2302DS、AO3400、IRLML2502、FDN340P、PQ20WZ5Y、PQ20WZ5V