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PQ20WZ1 UJ00H 发布时间 时间:2025/8/28 1:43:42 查看 阅读:7

PQ20WZ1 UJ00H 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高效率电源转换系统,如DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等应用场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高电流能力和良好的热性能,适用于要求高可靠性和高效率的现代电源系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:20A
  最大漏极-源极电压:60V
  最大栅极-源极电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大29mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷:29nC
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-247AK

特性

PQ20WZ1 UJ00H 具有多个显著的技术特性,使其在功率转换应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在VGS为10V时,Rds(on)最大仅为29mΩ,使得该器件适用于高电流应用,如服务器电源、电信电源系统和电机控制电路。
  其次,该MOSFET采用先进的沟槽式结构技术,提升了单位芯片面积的电流密度,从而在相同尺寸下实现更高的性能。此外,其高耐压能力(60V)确保其在各种电压波动环境下仍能稳定运行。
  第三,PQ20WZ1 UJ00H具有良好的热管理性能,TO-247封装提供了优良的散热能力,有助于在高负载条件下维持较低的结温,延长器件寿命并提升系统可靠性。
  最后,该器件的栅极电荷较低(29nC),有助于减少开关损耗,使其在高频开关应用中表现优异。此外,其栅极驱动电压范围宽广(±20V),兼容多种驱动电路设计。

应用

PQ20WZ1 UJ00H MOSFET广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。在服务器和通信设备的DC-DC转换器中,该器件能够实现高效率的能量转换,满足高密度电源设计的需求。在电机驱动和工业自动化系统中,其高电流能力和低导通电阻可提升驱动效率并减少发热。此外,该MOSFET也适用于电池管理系统、负载开关、电源适配器及高功率LED照明驱动电路。由于其出色的热稳定性和可靠性,PQ20WZ1 UJ00H也常用于汽车电子系统中的功率控制模块,如车载充电器和DC-DC转换器。

替代型号

IPD90N06S4-07, STD20NK60ZT4, FDP20N60FM

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