时间：2025/8/28 1:43:42
阅读：16
PQ20WZ1 UJ00H 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等应用场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，适用于要求高可靠性和高效率的现代电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏极-源极电压：60V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大29mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：29nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247AK
PQ20WZ1 UJ00H 具有多个显著的技术特性，使其在功率转换应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS为10V时，Rds(on)最大仅为29mΩ，使得该器件适用于高电流应用，如服务器电源、电信电源系统和电机控制电路。
其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构技术，提升了单位芯片面积的电流密度，从而在相同尺寸下实现更高的性能。此外，其高耐压能力（60V）确保其在各种电压波动环境下仍能稳定运行。
第三，PQ20WZ1 UJ00H具有良好的热管理性能，TO-247封装提供了优良的散热能力，有助于在高负载条件下维持较低的结温，延长器件寿命并提升系统可靠性。
最后，该器件的栅极电荷较低（29nC），有助于减少开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。此外，其栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路设计。
PQ20WZ1 UJ00H MOSFET广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。在服务器和通信设备的DC-DC转换器中，该器件能够实现高效率的能量转换，满足高密度电源设计的需求。在电机驱动和工业自动化系统中，其高电流能力和低导通电阻可提升驱动效率并减少发热。此外，该MOSFET也适用于电池管理系统、负载开关、电源适配器及高功率LED照明驱动电路。由于其出色的热稳定性和可靠性，PQ20WZ1 UJ00H也常用于汽车电子系统中的功率控制模块，如车载充电器和DC-DC转换器。
IPD90N06S4-07, STD20NK60ZT4, FDP20N60FM
