时间：2025/6/22 15:13:16
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WPE16VD3BB 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率电子元件，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该器件具有高开关速度和低导通电阻的特点，能够在高频工作条件下提供卓越的效率表现。
WPE16VD3BB采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）结构，能够显著减少能量损耗并提升系统性能。其封装形式紧凑，适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：16A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：7nC
开关频率：最高可达5MHz
结温范围：-55℃至+175℃
WPE16VD3BB 的主要特性包括高耐压能力（600V），使其适用于高压场景；同时具备极低的导通电阻（35mΩ），可以有效降低传导损耗。
此外，该器件的栅极电荷较小（仅7nC），有助于实现更快的开关速度，从而提升整体效率并减小电磁干扰（EMI）。
由于采用了先进的氮化镓技术，WPE16VD3BB在高温环境下仍能保持稳定运行，并且支持高达5MHz的工作频率，非常适合高频应用需求。
WPE16VD3BB 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 高效开关电源（SMPS）设计
2. 小型化 DC-DC 转换器
3. 太阳能逆变器中的高频开关
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路
5. 电动汽车充电设备及电池管理系统（BMS）
6. LED 照明驱动电源
凭借其高效率和紧凑尺寸，这款器件为现代电力系统提供了更优的解决方案。
WPE16VD3BA, WPE16VD3BC, WPE12VD3BB
