类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：连续10A（Tc=25℃）
　　最大导通电阻（RDS(on)）：0.26Ω（@VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V至4.0V
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220SIS

PQ20VZIU采用先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中具有出色的热性能和较低的温升。
　　该MOSFET支持较高的工作电压（200V），适用于中高压功率转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和马达控制电路。此外，PQ20VZIU具备较高的耐用性和稳定性，能够在恶劣环境下长时间工作，适合工业级和车载电子应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V左右即可完全导通，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。其栅极阈值电压适中，能够在保证稳定工作的同时避免误触发。
　　PQ20VZIU的封装设计具有良好的散热能力，有助于提高器件的可靠性并延长使用寿命。TO-220SIS封装形式支持快速安装和散热片连接，适用于高功率密度系统。

PQ20VZIU广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器、LED照明系统和工业自动化控制电路。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于电动车充电器、太阳能逆变器和家用电器等高效率电源系统。

PQ20VZIU的替代型号包括2SK3560、2SK3561以及SiHP20N200C。这些型号在性能参数和封装形式上相近，适用于类似的高压功率应用。