时间：2025/8/28 8:35:34
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PQ20VZ5UJ00H 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻、高功率密度和快速开关性能，适用于诸如 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制和负载开关等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：200V
漏极电流 Id（连续）：15A
栅极阈值电压 Vgs(th)：约 4V（典型值）
导通电阻 Rds(on)：约 180mΩ（在 Vgs=10V 时）
功率耗散（Pd）：40W
封装形式：TO-220FP
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
PQ20VZ5UJ00H 具备多项优良特性，使其在各种功率应用中表现出色。
首先，该 MOSFET 的低导通电阻 Rds(on) 可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其 180mΩ 的导通电阻在同类产品中具有竞争力，尤其适合高电流应用。
其次，该器件支持高达 200V 的漏源电压，适用于中高压功率转换系统。其额定漏极电流为 15A，可满足多种电源拓扑结构的需求。
此外，PQ20VZ5UJ00H 采用 TO-220FP 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。该封装形式也便于安装散热片，提高热管理能力。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和高可靠性，能够在严苛的工作环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑驱动器，简化了驱动电路设计。
最后，PQ20VZ5UJ00H 的快速开关特性可减少开关损耗，提高整体电源效率，适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器等。
综上所述，PQ20VZ5UJ00H 是一款性能优异、可靠性高的功率 MOSFET，适用于多种工业、消费类和汽车电子应用。
PQ20VZ5UJ00H 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
DC-DC 转换器：用于笔记本电脑、服务器、通信设备等的电源模块中，实现高效的电压转换。
同步整流器：在反激式和正激式电源中替代传统二极管，提高转换效率。
电机控制：用于工业自动化设备、电动工具和机器人中的电机驱动电路。
电池管理系统：作为高侧或低侧开关，用于保护电池组免受过流和短路损坏。
负载开关：用于控制电源供应到特定电路或模块，如 LED 照明、加热元件等。
汽车电子：包括车载充电器、电机驱动器和车身控制模块等应用。
由于其优异的导通特性和封装散热性能，PQ20VZ5UJ00H 非常适合需要高效率和高可靠性的电源管理解决方案。
SiHF20N20C, FQA20N20C, 2SK2143, IRF2807PBF
