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CMF10120D 发布时间 时间:2025/9/11 8:14:18 查看 阅读:17

CMF10120D是一种表面贴装的功率因数校正(PFC)整流桥,专为高效率电源应用设计。它集成了四个整流二极管,以提供全波整流功能,同时优化了功率因数和总谐波失真(THD)。CMF10120D适用于多种电源转换系统,尤其是在需要高能效和紧凑设计的场合。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):1200 V
  最大平均整流电流(IF(AV)):10 A
  最大正向压降(VF):1.5 V(典型值)
  最大反向漏电流(IR):5 μA(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:表面贴装(SMD)
  封装尺寸:符合TO-277标准
  认证标准:符合RoHS指令

特性

CMF10120D具备出色的电气性能和热稳定性,确保在高负载条件下的可靠运行。其高反向耐压能力(1200V)使其适用于多种电压等级的电网环境,从而提高了应用的通用性。此外,该器件的低正向压降(典型值1.5V)有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。CMF10120D采用先进的硅芯片技术和高导热材料封装,确保在高电流工作时仍能保持较低的温升,延长器件寿命。其表面贴装封装设计便于自动化生产,同时减少了PCB空间占用,适合高密度电源设计。该器件还具有良好的浪涌电流承受能力,能够应对电源启动时的瞬态冲击,提高系统的稳定性和安全性。

应用

CMF10120D广泛应用于各类电源系统中,包括交流-直流(AC-DC)转换器、功率因数校正模块、工业电源、LED照明驱动器、家电电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及电动汽车充电设备等。其高耐压和高电流能力使其特别适用于需要高效能和高可靠性的中高功率应用场合。

替代型号

CMF10120D可以替代型号如GBU10M、KBU10M、MB10F、ABS10、RS1KM等,具体替代需根据电路设计和散热条件进行评估。

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CMF10120D参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Z-FET™
  • FET 型SiCFET N 通道,碳化硅
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 10A,20V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 500µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs47.1nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds928pF @ 800V
  • 功率 - 最大152W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件