PQ20VZ1U 时间：2025/8/28 22:32:38 阅读：8

PQ20VZ1U 是一款由罗姆（Rohm）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。其封装形式为DFN2020，尺寸小巧，适合在空间受限的应用中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：4.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值18mΩ（@VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：1.2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：DFN2020

特性

PQ20VZ1U MOSFET采用了罗姆先进的沟槽结构技术，使其在同类产品中具有较低的导通电阻，从而减少了功率损耗，提高了整体效率。
　　该器件的封装形式为DFN2020，尺寸仅为2.0mm x 2.0mm，非常适合用于空间受限的便携式设备和高密度电路设计。
　　由于其较低的RDS(on)，PQ20VZ1U在工作时产生的热量较少，有助于提升系统的稳定性和可靠性，尤其适用于电池供电设备。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高电流和高温环境下保持稳定的性能，适合用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动器等应用场合。
　　其栅极驱动电压范围较宽，可在2.5V至8V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。

应用

PQ20VZ1U MOSFET适用于多种电源管理和功率控制应用，例如便携式电子设备中的负载开关和电池保护电路。
　　在DC-DC转换器和同步整流器中，它能够有效降低导通损耗，提高转换效率，适用于小型化电源模块设计。
　　该器件还可用于电机驱动电路，为小型直流电机或步进电机提供高效的驱动控制。
　　在LED照明系统中，PQ20VZ1U可以作为调光控制开关，实现高效率的电流调节。
　　此外，它也可用于USB电源管理、智能电表、传感器模块等对空间和效率有较高要求的电子系统中。