类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ @ VGS=4.5V, ID=5.5A
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PQFN（Power Quad Flat No-lead）
　　引脚数：8

PQ20VZ11U具有多项优异的电气和机械特性，适用于高要求的电源管理应用。首先，该器件采用了Rohm先进的沟槽栅极技术，能够显著降低导通电阻（RDS(ON)），从而减少导通损耗，提高系统效率。其最大导通电阻为11mΩ，在VGS=4.5V、ID=5.5A的条件下即可实现这一性能，这使得该MOSFET在低电压应用中也能保持高效运行。
　　其次，PQ20VZ11U采用了小型PQFN封装，具有良好的热性能和空间节省优势，适用于高密度PCB设计。其8引脚结构有助于降低封装电阻和电感，提高高频开关性能，适用于同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
　　此外，该器件支持高达11A的连续漏极电流，具备较强的负载能力，适合用于中高功率的电源管理系统。其栅源电压容限为±12V，确保在复杂工作环境下仍能稳定运行，避免栅极氧化层击穿带来的可靠性问题。
　　最后，PQ20VZ11U的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的温度适应性和热稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。

PQ20VZ11U广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、电机驱动器以及便携式电子产品中的功率开关。其高效能和小型化封装也使其成为服务器电源、通信设备和工业自动化设备中的理想选择。

Si2302DS, AO4406A, IRF7404, FDS6675