类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：5.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：1.8W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT（双面散热薄型表面贴装）

PQ1XM55M2SPQ MOSFET具备多项优异特性，首先是其低导通电阻，仅为55mΩ（在VGS=10V条件下），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了高密度沟槽式结构，使得在小尺寸封装下仍能保持良好的电流处理能力。
　　此外，PQ1XM55M2SPQ采用TSMT封装技术，具有双面散热能力，可有效提升热管理性能，适用于高密度和小型化设计。该封装方式也提高了散热效率，使器件在高负载条件下仍能稳定运行。
　　该MOSFET具有较强的栅极驱动兼容性，支持常见的10V驱动电压，适用于各种DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路。其高耐压特性（30V VDS）使其在多种电源管理应用中表现出色。
　　在可靠性方面，PQ1XM55M2SPQ具有较高的热稳定性和抗过载能力，符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于汽车电子、工业控制和便携式设备等对可靠性要求较高的应用领域。

PQ1XM55M2SPQ MOSFET广泛应用于多种电源管理与功率转换电路中。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及便携式电子设备中的功率控制模块。
　　在汽车电子领域，该器件常用于车载充电器、LED驱动电路、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块中的电源开关。此外，它也适用于工业自动化设备、智能电表和通信设备中的电源管理单元。
　　由于其TSMT封装具有优异的散热性能，PQ1XM55M2SPQ非常适合用于高密度、高效率要求的电源设计，例如服务器电源、移动电源、无线充电器以及各种高效率小型化电源模块。

PQ1XM55M2SPQ 的替代型号包括 PQ1XM55M2SPQ的后续版本 PQ1XM55M2SPQ-TR、Rohm 的其他 N 沟道 MOSFET 如 PQ1R5V10L2SPQ 和 Toshiba 的 TPC8104-H 和 Infineon 的 BSC055N10NS5