时间：2025/8/28 8:20:18
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PQ1X291M2ZP 是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，适用于各种高效率电源转换应用。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，广泛用于DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统中。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：8.3mΩ（典型值）
功耗（Pd）：130W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：双排扁平无引线封装（DFN10）
PQ1X291M2ZP的主要特性包括低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率；
其双排扁平无引线封装（DFN10）提供了优良的散热性能，同时减少了封装尺寸，适合高密度PCB布局；
该器件具有较高的耐电流能力和良好的热稳定性，使其在高负载条件下也能保持稳定运行；
此外，PQ1X291M2ZP还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，进一步提升了电源转换效率。
这款MOSFET常用于各类电源管理系统，如同步整流DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器以及工业自动化设备；
其高效率和紧凑封装特别适合用于笔记本电脑、服务器电源、电源适配器、负载开关和热插拔电路等应用中；
由于其出色的性能，PQ1X291M2ZP也广泛应用于新能源汽车和储能系统的电源模块中。
SiSS190N10NM5C-T1-GE3, Nexperia PSMN2R0-30PL, Infineon BSC090N15NS5
