PQ1U251M2ZPH 是一款由Toshiba(东芝)制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换应用,如DC-DC转换器、电源管理和负载开关等。该器件采用高性能的功率MOSFET结构,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于便携式电子设备和工业控制系统中的电源管理。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):20V
栅极-源极电压(Vgs):±8V
连续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):25mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd):2W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:DFN1006-6
PQ1U251M2ZPH MOSFET具备多项高性能特性,首先是其低导通电阻,仅为25mΩ(在Vgs=4.5V条件下),这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。该器件的漏极-源极电压额定值为20V,适合中低电压电源管理系统。其栅极-源极电压为±8V,确保了稳定的栅极控制能力,同时具备良好的抗过压能力。该MOSFET的最大连续漏极电流为6A,能够支持较高功率的负载切换。
此外,PQ1U251M2ZPH采用DFN1006-6封装形式,这种小型封装不仅节省空间,还具有良好的热性能,有助于散热,适用于高密度PCB布局。其功率耗散能力为2W,能够在较高负载下稳定运行。工作温度范围从-55°C到150°C,适应各种恶劣环境条件下的应用。该器件还内置了静电放电(ESD)保护功能,增强了其在复杂电磁环境中的稳定性与可靠性。因此,PQ1U251M2ZPH非常适合用于电池供电设备、DC-DC转换器、马达驱动器和各种电源管理模块。
PQ1U251M2ZPH MOSFET广泛应用于多种电子设备中,特别是在需要高效能和高可靠性的电源管理场合。例如,在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品中,该器件可用于电源开关和DC-DC转换器,以提高能效和延长电池续航时间。在工业控制系统中,它可用于驱动继电器、传感器和执行器等负载,提供稳定的功率输出。此外,该MOSFET还可用于电机控制、LED驱动器和各种类型的电源适配器,确保系统的高效运行和低功耗设计。
PQ1R015A07RC, Si2301DS, AO3400A