时间：2025/7/22 10:20:10
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MTP2P50是一款由ON Semiconductor生产的P沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐压能力和良好的热稳定性，适合用于负载开关、DC-DC转换器以及电机控制等场景。MTP2P50以其低导通电阻、高可靠性和良好的封装散热性能著称，是工业控制、消费电子和汽车电子中的常用元件。
类型：P沟道
漏源电压(Vds)：-200V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：-4A
导通电阻(Rds(on))：≤1.4Ω @ Vgs = -10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220
功率耗散(Pd)：35W
MTP2P50具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其最大漏源电压为-200V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的开关操作。其次，该MOSFET的栅源电压容限为±30V，具备良好的栅极保护能力，避免因过压导致的损坏。
该器件的连续漏极电流为-4A，在P沟道MOSFET中属于较高水平，能够支持中等功率的负载控制。导通电阻Rds(on)在Vgs = -10V时不超过1.4Ω，保证了在导通状态下的低功耗表现，减少了热量产生。
此外，MTP2P50采用了TO-220封装，具备良好的散热能力，适合在高功率密度设计中使用。其工作温度范围为-55°C至150°C，表明其在极端环境下的稳定性较高，适用于工业和汽车应用。
器件还具备快速开关能力，栅极电荷量较低，从而提高了开关效率，降低了动态损耗。这种特性使其非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和马达驱动器。
MTP2P50由于其高压和中等电流能力，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于负载开关、反向电压保护电路以及高压侧开关控制。在工业自动化中，该器件可用于控制电机、继电器和其他执行机构。
在汽车电子领域，MTP2P50被用于车身控制模块、照明系统以及车载充电器等应用，因其具备较高的可靠性和耐温性能，能够适应车辆运行中的复杂环境。
此外，该MOSFET也适用于消费类电子产品，如电源适配器、UPS不间断电源和智能家电控制电路。由于其TO-220封装易于散热，也适合用于需要较高功率密度的设计中。
在通信设备中，MTP2P50可用于DC-DC转换器和电源管理单元，为系统提供高效的电源控制方案。
IRF9Z34N, FQP2P50, STP2P50
