MTP2P50是一款由ON Semiconductor生产的P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-220封装,具备较高的耐压能力和良好的热稳定性,适合用于负载开关、DC-DC转换器以及电机控制等场景。MTP2P50以其低导通电阻、高可靠性和良好的封装散热性能著称,是工业控制、消费电子和汽车电子中的常用元件。
类型:P沟道
漏源电压(Vds):-200V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):-4A
导通电阻(Rds(on)):≤1.4Ω @ Vgs = -10V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-220
功率耗散(Pd):35W
MTP2P50具有多项优异的电气和热性能特性。首先,其最大漏源电压为-200V,能够承受较高的电压应力,适用于高压环境下的开关操作。其次,该MOSFET的栅源电压容限为±30V,具备良好的栅极保护能力,避免因过压导致的损坏。
该器件的连续漏极电流为-4A,在P沟道MOSFET中属于较高水平,能够支持中等功率的负载控制。导通电阻Rds(on)在Vgs = -10V时不超过1.4Ω,保证了在导通状态下的低功耗表现,减少了热量产生。
此外,MTP2P50采用了TO-220封装,具备良好的散热能力,适合在高功率密度设计中使用。其工作温度范围为-55°C至150°C,表明其在极端环境下的稳定性较高,适用于工业和汽车应用。
器件还具备快速开关能力,栅极电荷量较低,从而提高了开关效率,降低了动态损耗。这种特性使其非常适合用于高频开关应用,如DC-DC转换器和马达驱动器。
MTP2P50由于其高压和中等电流能力,广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常用于负载开关、反向电压保护电路以及高压侧开关控制。在工业自动化中,该器件可用于控制电机、继电器和其他执行机构。
在汽车电子领域,MTP2P50被用于车身控制模块、照明系统以及车载充电器等应用,因其具备较高的可靠性和耐温性能,能够适应车辆运行中的复杂环境。
此外,该MOSFET也适用于消费类电子产品,如电源适配器、UPS不间断电源和智能家电控制电路。由于其TO-220封装易于散热,也适合用于需要较高功率密度的设计中。
在通信设备中,MTP2P50可用于DC-DC转换器和电源管理单元,为系统提供高效的电源控制方案。
IRF9Z34N, FQP2P50, STP2P50