PQ1R50 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能功率管理的场合。该器件设计用于高电流应用,具备低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id):50A
最大漏源电压 (Vds):60V
最大栅源电压 (Vgs):±20V
导通电阻 (Rds(on)):最大 4.8mΩ(在 Vgs=10V 时)
功率耗散 (Pd):120W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
PQ1R50 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的 Rds(on) 最大仅为 4.8mΩ,这在高电流应用中尤为重要,因为它可以降低导通状态下的功耗并减少热量生成。
此外,PQ1R50 具有较高的耐压能力,漏源电压最大可达 60V,使其适用于中高压功率转换应用。其高栅源电压容限(±20V)也增强了器件在各种工作条件下的稳定性,减少了因电压波动而导致损坏的风险。
另一个显著特点是 PQ1R50 的高功率耗散能力(120W),使其能够在高负载条件下长时间稳定运行。这种能力对于需要持续高电流输出的应用(如 DC-DC 转换器和电机驱动器)至关重要。
最后,PQ1R50 在宽温度范围内(-55°C 至 +150°C)都能保持稳定工作,适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。
PQ1R50 主要应用于需要高电流和高效率的功率管理系统。其中,常见的应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块、电机控制器以及工业自动化设备中的功率开关。
SiHF50N60LD、FDP50N60、IRF540N、FDMS86180、IPW60R048PFD