时间：2025/8/28 9:15:12
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PQ1R50 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能功率管理的场合。该器件设计用于高电流应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：50A
最大漏源电压 (Vds)：60V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：最大 4.8mΩ（在 Vgs=10V 时）
功率耗散 (Pd)：120W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
PQ1R50 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的 Rds(on) 最大仅为 4.8mΩ，这在高电流应用中尤为重要，因为它可以降低导通状态下的功耗并减少热量生成。
此外，PQ1R50 具有较高的耐压能力，漏源电压最大可达 60V，使其适用于中高压功率转换应用。其高栅源电压容限（±20V）也增强了器件在各种工作条件下的稳定性，减少了因电压波动而导致损坏的风险。
最后，PQ1R50 在宽温度范围内（-55°C 至 +150°C）都能保持稳定工作，适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。
PQ1R50 主要应用于需要高电流和高效率的功率管理系统。其中，常见的应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块、电机控制器以及工业自动化设备中的功率开关。
SiHF50N60LD、FDP50N60、IRF540N、FDMS86180、IPW60R048PFD
