时间：2025/8/9 9:01:42
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K2872-01MR是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于需要高效功率开关的应用。该器件采用高密度单元设计，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。K2872-01MR封装为TO-220，便于散热和安装，适合高功率应用。该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较为严苛的环境下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
漏极电流（Id）：110A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：0.0045Ω（最大）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
K2872-01MR是一款高性能的功率MOSFET，其核心特性之一是低导通电阻（Rds(on)），这使得它在导通状态下的功率损耗极低，从而提高了整体系统的效率。这对于电源转换器、同步整流器和高电流负载开关等应用尤为重要。
该器件采用先进的封装技术，TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还能承受较大的电流，从而保证了在高功率应用中的稳定性。此外，K2872-01MR具有较高的栅极电压容限（±20V），这使得它在各种驱动条件下都能保持良好的稳定性和耐用性。
该MOSFET的高电流处理能力（高达110A）使其非常适合用于需要高功率输出的系统，如电动工具、电动车、电源供应器和工业控制设备。其高密度单元设计也有助于提高器件的可靠性和耐久性，延长使用寿命。
此外，K2872-01MR具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频操作环境。这使得它在DC-DC转换器、PWM控制器和同步整流等应用中表现优异。
由于其优异的热特性和稳定性，K2872-01MR可以在较宽的温度范围内工作，适应各种严苛的环境条件。这使得它成为工业、汽车和消费类电子产品中功率管理电路的理想选择。
K2872-01MR广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制器、负载开关、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备以及高功率LED照明系统。
TKA110N30K3,TTP110N30KOA
