时间：2025/10/29 10:10:41
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TE28F800C3BA-90是一款由Intel（现归属于Micron Technology）推出的并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash Embedded Memory系列。该器件采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个比特信息，从而在保持成本效益的同时提供较高的存储密度。TE28F800C3BA-90的存储容量为8 Mbyte（即64 Mbit），组织方式为按字节访问的8位数据总线结构，适用于需要非易失性存储且对成本敏感的嵌入式系统应用。该芯片设计用于工业控制、通信设备、网络基础设施以及消费类电子产品中的固件存储和数据记录功能。其封装形式为48引脚TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的应用中进行表面贴装。工作电压通常为3.0V至3.6V，具备低功耗运行模式，适合电池供电或节能要求较高的系统。此外，该器件支持快速读取操作，访问时间低至90纳秒，确保了系统在执行代码（XIP, eXecute In Place）时的高效响应能力。内置的命令集允许执行诸如擦除、编程和查询等操作，并支持块保护机制以增强数据安全性。通过使用标准的地址/数据总线接口，该芯片能够与多种微控制器和处理器无缝集成，简化了硬件设计流程。Intel还提供了配套的软件驱动程序和开发工具，帮助开发者实现对StrataFlash器件的有效管理。随着半导体技术的发展，虽然新型串行闪存（如SPI NOR Flash）逐渐普及，但在某些需要高吞吐量并行接口的遗留系统或特定应用场景中，TE28F800C3BA-90仍具有一定的使用价值。需要注意的是，由于该型号已逐步进入停产（EOL）阶段，市场供应可能受限，建议用户在新产品设计中评估替代方案。
制造商：Intel\n系列：StrataFlash Embedded Memory\n存储容量：64 Mbit\n存储器类型：NOR Flash\n位宽：8位\n工作电压：3.0V ~ 3.6V\n访问时间：90 ns\n封装：48-TSOP\n工作温度范围：-40°C ~ +85°C\n接口类型：并行\n组织结构：8M x 8\n编程电压：内部电荷泵生成\n待机电流：典型值100 μA\n读取电流：典型值20 mA\n擦除电压：内部生成\n写使能/控制信号支持：CE#, OE#, WE#\n块结构：分为64个可独立擦除的扇区\n数据保持时间：典型10年\n擦写耐久性：典型10万次
TE28F800C3BA-90采用Intel专有的StrataFlash技术，这项技术结合了NOR Flash的随机访问能力和多级单元（MLC）的高密度优势，在保证性能的同时显著提升了存储效率。每个存储单元可以存储两个或更多比特的信息，使得在相同硅片面积上实现更高的数据容量成为可能，这对于追求小型化和低成本的嵌入式设备至关重要。
该芯片支持全电压范围内的可靠读写操作，内置电荷泵电路可在标准3V电源下完成编程和擦除所需的高压生成，无需外部提供额外的编程电压，简化了电源设计并降低了系统复杂度。其90ns的快速访问时间使得处理器可以直接从闪存中执行代码（XIP），避免了将程序加载到RAM的步骤，从而节省内存资源并加快启动速度。
器件具备灵活的扇区架构，共划分为64个独立可擦除的扇区，允许用户精细地管理固件更新和数据存储区域。部分扇区可被硬件或软件锁定以防止误写或恶意篡改，增强了系统的安全性和稳定性。命令集兼容JEDEC标准，便于移植和调试。
为了提高系统鲁棒性，芯片集成了错误检测与纠正机制（ECC），能够在一定程度上识别和修正读取过程中的位错误。同时支持低功耗待机模式，当片选信号无效时自动进入低功耗状态，非常适合便携式或远程部署的嵌入式系统。
尽管该型号基于较早的并行接口架构，但其稳定的电气特性和成熟的生态系统使其在工业自动化、路由器、POS终端等领域仍有广泛应用。然而，考虑到现代趋势向SPI/QPI等串行接口迁移，建议在新设计中评估兼容性与长期供货风险。
TE28F800C3BA-90广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业控制领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和工控机中存储操作系统、配置参数和应用程序代码。其高可靠性与宽温工作能力使其适应恶劣的工厂环境。
在网络与通信设备中，该芯片被用于路由器、交换机、DSL调制解调器和基站控制器中作为固件存储介质，支持快速启动和现场升级功能。由于其并行接口提供较高的数据吞吐率，适合频繁读取操作的场景。
在消费类电子产品方面，曾见于早期的数字电视、机顶盒、打印机和多媒体播放器中，用于存放引导程序和用户界面资源。此外，在医疗仪器、测试测量设备和汽车电子模块（如仪表盘、车身控制单元）中也有应用，满足长期数据保存和多次擦写的需求。
由于其支持XIP（就地执行）模式，特别适用于没有大容量RAM或将程序代码直接映射到地址空间运行的微控制器系统。配合实时操作系统（RTOS）使用时，可有效减少对外部RAM的依赖，降低整体BOM成本。
虽然目前主流设计已转向更小封装、更低功耗的串行NOR Flash，但在维护现有产线、替换故障单元或兼容旧平台升级时，TE28F800C3BA-90仍然是一个重要的选择。对于需要长期供货保障的设计项目，建议提前规划替代路线或建立安全库存。
MT28F800C3-90
