PQ1R30 时间：2025/8/28 9:55:26 阅读：21

PQ1R30 是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用而设计。PQ1R30具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作，适合用于工业控制、汽车电子以及消费类电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25℃时）
　　最大脉冲漏极电流(Idm)：240A
　　导通电阻(Rds(on))：最大1.3mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃～175℃
　　封装形式：TO-220AB

特性

PQ1R30具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在Vgs=10V时，Rds(on)的最大值仅为1.3mΩ，这使得该器件在高电流应用中依然保持较低的功率损耗。
　　其次，该MOSFET的最大漏极电流可达60A，在瞬态或脉冲负载条件下可承受高达240A的峰值电流，具备良好的过载能力。这使得PQ1R30非常适合用于需要瞬态响应和高电流能力的电源系统中。
　　此外，PQ1R30采用了高耐热性的TO-220AB封装，有助于提高器件在高功率工作状态下的散热效率。其最大功耗为200W，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，适用于多种驱动电路设计。同时，其宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃）使其适用于各种严苛环境，如工业自动化、汽车电子等应用场景。
　　PQ1R30还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了系统的稳定性和可靠性。

应用

PQ1R30广泛应用于多个领域。在电源管理方面，常用于高效率DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高性能电源设计的理想选择。
　　在汽车电子领域，PQ1R30可用于车载充电器、电机驱动系统、车身控制模块等场景，满足汽车电子对可靠性和耐温性的高要求。
　　此外，该器件也适用于工业自动化控制系统、电机控制、LED驱动电源以及高功率LED照明设备等应用。其优异的热性能和高电流承载能力，使其在需要长时间高负载工作的工业设备中表现出色。
　　由于其优异的开关特性和抗干扰能力，PQ1R30也可用于开关电源、逆变器、UPS不间断电源等电力电子系统中。