类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：400mA
　　导通电阻（Rds(on)）：最大1.2Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

PQ1R29 MOSFET具备多项优良特性，适合高效率和高可靠性的电源管理应用。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体能效。由于其小型化封装，该器件非常适合用于空间受限的便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和穿戴式设备。此外，PQ1R29具有较高的栅极击穿电压容限（±12V），增强了其在高频开关应用中的稳定性和耐用性。该器件的低输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也有助于实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。PQ1R29还具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下正常运行，适用于工业级和汽车电子应用。此外，其高可靠性设计符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于车载电子系统。
　　在实际应用中，PQ1R29的封装设计便于焊接和安装，适合使用自动贴片机进行大批量生产。此外，该器件具有良好的抗静电能力（ESD保护），提高了在复杂电磁环境中的稳定性。PQ1R29的低功耗特性也有助于延长电池供电设备的续航时间，是许多低电压、低功耗应用的理想选择。

PQ1R29广泛应用于各类电子设备中，主要包括：电源管理系统中的负载开关控制、DC-DC转换器中的同步整流开关、电池供电设备中的电源管理模块、便携式消费类电子产品（如智能手机、智能手表、无线耳机）中的电压调节电路、电机驱动电路中的低边开关、LED驱动电路、逻辑接口控制电路以及各种需要低电压、小电流开关控制的场合。此外，该器件也常用于工业自动化设备、测试仪器和汽车电子系统中。

RQ1R29, FDMS3602, FDC6303, 2N7002, BSS138