时间：2025/6/16 23:20:35
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RT1N241M-T112-1 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，专为高频和高效率应用场景设计。该型号属于瑞能半导体 RT 系列，具有出色的导通电阻和开关性能，广泛应用于开关电源、电机驱动和可再生能源转换系统等领域。
这款芯片通过优化的封装设计和材料选择，有效提升了散热性能和可靠性，同时具备低反向恢复电荷特性，能够显著降低开关损耗。
类型：功率开关管
材料：氮化镓 (GaN)
额定电压：650 V
额定电流：24 A
导通电阻：1.2 mΩ
最大工作温度：175 °C
封装形式：TO-247-3L
栅极阈值电压：1.8 V~3.6 V
反向恢复电荷：小于 25 nC
RT1N241M-T112-1 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场合，支持更高的工作频率，减小磁性元件体积。
3. 优秀的热稳定性和可靠性，确保在极端环境下的长期运行。
4. 低反向恢复电荷，进一步降低开关过程中的能量损失。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 支持宽禁带半导体技术，提供比传统硅基 MOSFET 更优异的性能表现。
此型号广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（如适配器、充电器）
2. 工业电机驱动
3. 新能源汽车充电桩
4. 太阳能逆变器
5. 数据中心电源模块
6. 其他需要高效功率转换的应用场景
RT1R241M-T112-1
RT1P241M-T112-1
