PQ1LA185MSPQ 是一款由罗姆(Rohm)公司制造的N沟道功率MOSFET,主要设计用于高效率的电源管理和负载开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于需要高可靠性和高效能的工业和消费类电子产品。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id):5.0A
最大漏源电压 (Vds):30V
最大栅源电压 (Vgs):20V
导通电阻 (Rds(on)):18mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOP(表面贴装)
引脚数:8
PQ1LA185MSPQ 具备多项优异特性,使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为18mΩ,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。这对于电池供电设备和高功耗系统尤为重要,因为它可以有效减少发热并延长电池寿命。
其次,该器件支持高达5A的连续漏极电流,具备较强的电流承载能力,适用于各种中高功率应用。同时,PQ1LA185MSPQ 的最大漏源电压为30V,最大栅源电压为20V,能够在较宽的电压范围内稳定工作,增强了其在不同应用中的适应性。
该MOSFET采用SOP-8封装形式,属于表面贴装器件(SMD),适合自动化生产和高密度PCB布局。这种封装形式不仅有助于提高组装效率,还能提供良好的散热性能,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外,PQ1LA185MSPQ 的工作温度范围为-55°C至+150°C,具备良好的热稳定性,适用于严苛环境下的工业控制、电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用场景。
PQ1LA185MSPQ 广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高效能功率管理的场合。典型应用包括但不限于:DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化控制设备、通信电源模块等。
在DC-DC转换器中,该MOSFET可以作为主开关元件,用于提高转换效率并减少能量损耗。在负载开关应用中,它能够实现快速开关操作,并有效防止电流倒灌。此外,该器件在电池管理系统中可用于电池充放电控制,确保系统的安全性和稳定性。
由于其高可靠性和紧凑的SOP-8封装形式,PQ1LA185MSPQ 也常被用于空间受限的便携式设备,如笔记本电脑、平板电脑、智能手表等消费类电子产品中,以实现高效的电源管理。
Si2302DS, FDS6675, IRF7413, AO4406A