PQ1KA903MZPH 时间：2025/8/28 7:30:20 阅读：4

PQ1KA903MZPH 是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种功率管理和电源转换系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，适合用于高效率的DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理模块等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：27mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP（表面贴装）
　　引脚数：8

特性

PQ1KA903MZPH具备多项优良特性，使其在功率MOSFET市场中占据一席之地。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs为10V时，Rds(on)仅为27mΩ，这对于高电流应用尤为重要。
　　其次，该MOSFET支持高达12A的连续漏极电流，适用于中高功率负载的应用需求。同时，其最大漏源电压为30V，栅源电压容限为±20V，具有良好的电压耐受能力，增强了器件的稳定性和可靠性。
　　此外，PQ1KA903MZPH采用SOP封装，具备较小的封装体积和良好的热管理能力。封装设计使其适用于自动化贴片工艺，提高了生产效率并降低了PCB布局复杂度。
　　该器件的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，可在严苛的工业环境中稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、消费类电源管理等多种应用场景。
　　最后，PQ1KA903MZPH的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为4.5V至10V），便于与各种驱动IC或控制器配合使用，简化了电路设计。

应用

PQ1KA903MZPH MOSFET主要适用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。例如，在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关元件，实现高效的电压转换。在同步整流电路中，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体能效。
　　在电源管理系统中，PQ1KA903MZPH可用于负载开关、电池保护电路以及电源分配控制。由于其高电流承载能力和良好的热稳定性，非常适合用于笔记本电脑、服务器、工业计算机等设备的电源模块。
　　此外，该MOSFET也广泛应用于电机控制、LED驱动器和电源适配器等领域。在汽车电子中，可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载信息娱乐系统中的电源管理模块。
　　对于需要快速开关和低功耗的应用，如逆变器、UPS（不间断电源）和工业自动化控制系统，PQ1KA903MZPH也是一个理想的选择。