类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：1.5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.8Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FM
　　功率耗散（Pd）：50W

PQ1K503M2ZPH具有多项优异的电气和物理特性，确保其在高可靠性应用中的稳定运行。首先，该MOSFET具备较低的导通电阻（Rds(on)），在1.5A电流下导通损耗较低，有助于提升整体系统效率。其次，其500V的高耐压能力使其适用于高电压环境，如AC-DC转换器和电机驱动器。此外，该器件的封装采用TO-220FM标准形式，具有良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。
　　在热管理方面，PQ1K503M2ZPH具有出色的热稳定性，能够在150°C的高温环境下稳定工作。其±30V的栅极电压容限也提高了器件在复杂驱动条件下的可靠性，减少了栅极击穿的风险。同时，该MOSFET具备较高的短路耐受能力，适用于需要高稳定性的工业和电源系统设计。
　　从制造工艺来看，该器件采用罗姆先进的硅基技术，确保了良好的器件一致性和长期稳定性。其TO-220FM封装形式也便于安装和散热片连接，适合各类电源适配器、LED驱动器、DC-DC转换器以及家电控制模块使用。

PQ1K503M2ZPH广泛应用于多种电源和功率控制系统中，包括AC-DC开关电源、DC-DC转换器、马达驱动电路、LED照明驱动、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。其高耐压和低导通电阻特性使其在效率敏感和空间受限的应用中表现出色，是中功率电源系统中的理想选择。

2SK2545, 2SK1318, IRF740, 2SK2141