类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：800V
　　最大栅源电压 Vgs：±30V
　　最大连续漏极电流 Id（@25°C）：16A
　　最大功率耗散 Pd：125W
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：0.38Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

MTY16N80E 的核心优势在于其高耐压能力和较低的导通电阻，使其在高压功率转换应用中表现出色。其 800V 的漏源电压额定值使其适用于高输入电压的开关电源（SMPS）、光伏逆变器和电机驱动器等场景。该器件的低 Rds(on) 减少了导通损耗，提高了系统效率，同时降低了散热需求，有助于简化散热设计。
　　MTY16N80E 采用先进的平面工艺和沟槽技术，确保了在高电流下的稳定性和可靠性。其封装形式为 TO-252，具备良好的散热性能，同时支持自动化贴片工艺，适合大批量生产。此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突发过电压条件下的安全性。
　　从电气特性来看，MTY16N80E 在 Vgs=10V 时的典型导通电阻为 0.38Ω，漏极电流最大可达 16A，确保了在中高功率应用中的稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，便于与各种驱动 IC 配合使用。该器件还具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关应用。

MTY16N80E 常用于多种功率电子系统中，特别是在需要高电压隔离和高效能转换的场合。典型应用包括 AC-DC 和 DC-DC 开关电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、LED 照明驱动、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关。
　　在开关电源设计中，MTY16N80E 可作为主开关器件，用于反激式、正激式或 LLC 谐振变换器拓扑，实现高效的电压转换。由于其 800V 的耐压能力，该器件也适用于 PFC（功率因数校正）电路，能够处理高输入电压并提高整体电源效率。
　　在电机控制和电池管理系统中，MTY16N80E 可用于构建 H 桥结构，实现电机的双向驱动或用于电池充放电控制。其低导通电阻和高电流能力确保了在高负载条件下仍能保持较低的功耗，从而提高系统的整体能效。
　　此外，MTY16N80E 还可用于 LED 驱动电路，尤其是在高功率 LED 照明系统中，作为恒流源开关使用，确保稳定的电流输出和较长的 LED 寿命。

FQA16N80C, STF16N80, IRFGB40N80, SPW47N80A