时间：2025/8/28 4:10:33
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PQ1CZ38M2ZZ是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效功率管理的电子设备。这款MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其适用于电源转换、电机控制和负载开关等多种应用。PQ1CZ38M2ZZ采用紧凑型DFN（Dual Flat No-leads）封装，适合在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
最大漏-源电压（Vds）：30V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN2734-8（双排无引脚封装）
PQ1CZ38M2ZZ MOSFET具有多项出色的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为3.8毫欧，能够在高电流条件下显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（Vds=30V）使其适用于多种中低压功率应用。此外，PQ1CZ38M2ZZ支持高达120A的最大漏极电流，满足大功率负载切换的需求。
该MOSFET采用DFN2734-8封装，具有较小的占板面积，同时具备良好的热管理性能，适用于高密度PCB布局。封装无引脚设计有助于提高高频性能并减少寄生电感。PQ1CZ38M2ZZ的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子应用环境。此外，该器件还具备快速开关特性，降低开关损耗，适用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动和电池管理系统等高频应用场合。
PQ1CZ38M2ZZ广泛应用于各类功率电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，它可以用作高侧或低侧开关，以实现高效的电压转换。在同步整流电路中，PQ1CZ38M2ZZ的低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提升整体效率。此外，该MOSFET还可用于电机控制和负载开关应用，如电动工具、电动车辆和工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和宽温度范围，PQ1CZ38M2ZZ也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车载逆变器等。在电源管理模块中，该器件可以作为主开关元件，提供稳定可靠的功率控制。
SiR340DP-T1-GE3, IPW60R004C6, IRF6718PBF
