时间：2025/5/6 20:39:56
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CSD16406Q3是一款由德州仪器（TI）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效功率转换应用。其优化的性能使其成为工业、汽车及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：17nC
开关时间：19ns（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
CSD16406Q3采用了最新的半导体技术，以实现卓越的性能。
1. 极低的导通电阻：在特定条件下可低至1.5mΩ，从而显著减少传导损耗并提高效率。
2. 高电流承载能力：能够支持高达28A的连续漏极电流，适合大功率应用。
3. 快速开关：拥有较小的栅极电荷和短开关时间，有助于降低开关损耗。
4. 宽工作温度范围：可以在-55°C到175°C的范围内稳定运行，满足严苛环境下的需求。
5. 符合AEC-Q101标准：经过严格的车规级认证，确保了其可靠性与耐用性。
这款MOSFET广泛应用于多个领域：
1. 汽车电子：如电动助力转向系统（EPS）、制动系统和电机驱动等。
2. 工业设备：包括开关电源（SMPS）、DC/DC转换器以及逆变器。
3. 消费类电子产品：用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他便携式设备中的高效功率管理。
4. 其他应用：还可作为负载开关或保护电路的一部分使用。
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