您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PQ1CZ38M2ZP

PQ1CZ38M2ZP 发布时间 时间:2025/8/27 18:01:53 查看 阅读:11

PQ1CZ38M2ZP 是一款由罗姆(Rohm)半导体公司推出的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用设计,具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点。该MOSFET采用紧凑的封装形式,适用于空间受限的电子设备。PQ1CZ38M2ZP通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和各种电源管理模块中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):30A
  漏极-源极击穿电压(VDS):30V
  导通电阻(RDS(on)):9.8mΩ(典型值,VGS=10V)
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:LFPAK / PowerSSO-24

特性

PQ1CZ38M2ZP MOSFET具备多项优异特性,首先是其低导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流工作条件下,导通损耗显著降低,从而提高了整体系统的效率。其次是其高电流承载能力,漏极电流可达30A,适用于大功率负载的应用需求。该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V之间的驱动电压,兼容多种栅极驱动器的设计。此外,PQ1CZ38M2ZP采用了罗姆先进的沟槽式MOSFET技术,提升了器件的热稳定性和可靠性。其封装形式为LFPAK,这是一种无引脚的表面贴装封装,具有良好的热传导性能,有助于散热,同时减少了封装体积,提高了PCB布局的灵活性。该器件还具备较高的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作。在汽车电子和工业控制等对可靠性要求较高的场合,PQ1CZ38M2ZP表现出良好的耐用性和稳定性。

应用

PQ1CZ38M2ZP广泛应用于多个领域,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、服务器电源、电信设备以及汽车电子系统。在DC-DC转换器中,它常用于高侧或低侧开关,实现高效的电压转换。在电池管理系统中,该MOSFET可用于控制电池充放电路径,提供快速的开关响应和低功耗特性。此外,它也适用于高功率密度电源设计,如多相电源和VRM(电压调节模块)等应用场景。

替代型号

SiSS330DN, IPB037N06N3, FDS4410AS, IRF3710, AO4407A

PQ1CZ38M2ZP推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价