PQ1CZ38M2ZP 时间：2025/8/27 18:01:53 阅读：21

PQ1CZ38M2ZP 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司推出的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用设计，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点。该MOSFET采用紧凑的封装形式，适用于空间受限的电子设备。PQ1CZ38M2ZP通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和各种电源管理模块中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：30A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：9.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：LFPAK / PowerSSO-24

特性

PQ1CZ38M2ZP MOSFET具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流工作条件下，导通损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。其次是其高电流承载能力，漏极电流可达30A，适用于大功率负载的应用需求。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，兼容多种栅极驱动器的设计。此外，PQ1CZ38M2ZP采用了罗姆先进的沟槽式MOSFET技术，提升了器件的热稳定性和可靠性。其封装形式为LFPAK，这是一种无引脚的表面贴装封装，具有良好的热传导性能，有助于散热，同时减少了封装体积，提高了PCB布局的灵活性。该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作。在汽车电子和工业控制等对可靠性要求较高的场合，PQ1CZ38M2ZP表现出良好的耐用性和稳定性。

应用

PQ1CZ38M2ZP广泛应用于多个领域，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、服务器电源、电信设备以及汽车电子系统。在DC-DC转换器中，它常用于高侧或低侧开关，实现高效的电压转换。在电池管理系统中，该MOSFET可用于控制电池充放电路径，提供快速的开关响应和低功耗特性。此外，它也适用于高功率密度电源设计，如多相电源和VRM（电压调节模块）等应用场景。