S21MD9T 时间：2025/8/28 9:46:43 阅读：9

S21MD9T 是一款由 ROHM（罗姆）公司制造的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于电源管理和开关电路应用。该器件采用高性能硅工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点。S21MD9T 通常封装在小型表面贴装封装（如SOP或DFN）中，适用于紧凑型电子设备的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.038Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP/DFN

特性

S21MD9T MOSFET 具备多项优良的电气和物理特性。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，在4.1A的额定漏极电流下仍能保持稳定运行，适用于中高功率应用。S21MD9T 还具有良好的热稳定性和抗冲击能力，确保在高温或恶劣工作环境下依然可靠。其小型封装设计不仅节省PCB空间，还提高了装配的便利性，适用于自动化贴片工艺。
　　在电气特性方面，S21MD9T 的栅极驱动电压范围宽泛，支持4.5V至12V的栅源电压，使其兼容多种控制电路，如MCU、PWM控制器等。此外，该器件的开关速度快，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用场景。其较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也有助于降低开关损耗，提高响应速度。

应用

S21MD9T 广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要高效能、低功耗和小尺寸设计的场景中。典型应用包括：电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、LED照明控制、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关，以及工业自动化控制系统中的开关元件。该器件的高可靠性和高效率使其成为现代电子设计中的理想选择。