PQ1CZ38M 时间：2025/8/28 5:41:08 阅读：13

PQ1CZ38M 是一款由罗姆（Rohm）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用中。该器件采用了先进的沟槽栅结构技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，能够在较高的频率下工作，从而提高系统的效率和稳定性。PQ1CZ38M 封装形式为TSMT4，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSMT4
　　功率耗散（Pd）：120W

特性

PQ1CZ38M MOSFET采用先进的沟槽栅结构设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流高达80A，适用于高电流应用场景。该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，工作温度范围从-55°C到+150°C，适合工业级应用。此外，PQ1CZ38M的TSMT4封装形式不仅节省空间，还支持高密度布局，适用于紧凑型电源设计。其栅极驱动电压范围宽广（通常为4.5V至10V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
　　在开关性能方面，PQ1CZ38M具有较低的输入电容（Ciss）和门电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高系统的整体效率。同时，其短路耐受能力较强，提高了在恶劣工况下的可靠性。这些特性使得PQ1CZ38M成为高性能电源转换、电池管理系统、电机控制和汽车电子等应用的理想选择。

应用

PQ1CZ38M MOSFET主要应用于高效能电源管理系统，包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池供电设备以及汽车电子系统等。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换电路中。例如，在电动汽车和混合动力汽车中，PQ1CZ38M可用于电池管理系统中的功率控制单元，实现高效电能分配和管理。在工业自动化设备中，它可用于驱动直流马达和电磁阀等执行机构。此外，该器件也适用于便携式电子设备中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能充电器等，有助于提高设备的续航能力和工作效率。