CBR08C300J1GAC 是一款由 Vishay 生产的功率因数校正 (PFC) 和 DC-DC 转换应用中的高压 MOSFET。该器件采用 N 沟道技术,基于先进的半导体工艺制造,适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。
CBR08C300J1GAC 的主要特点是其低导通电阻和优化的开关性能,使其成为高频开关电源、电机驱动和工业控制等领域的理想选择。
最大漏源电压:300V
连续漏极电流:8A
导通电阻:0.12Ω
栅极电荷:45nC
总电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
CBR08C300J1GAC 提供了多种优势,使其在功率转换领域表现出色:
1. 高电压耐受能力(300V),适合各种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(0.12Ω),有效减少导通损耗,提升系统效率。
3. 快速开关性能,能够支持高频操作,降低电磁干扰。
4. 小型化封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
5. 可靠性高,能在极端温度条件下正常运行,满足工业级应用需求。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
CBR08C300J1GAC 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)阶段。
2. DC-DC 转换器,用于汽车电子、通信设备和消费类电子产品。
3. 工业电机驱动器,提供高效的功率控制。
4. 太阳能逆变器,用于可再生能源系统的电力调节。
5. LED 照明驱动器,确保稳定的输出和长寿命。
CBR08C300J1GA, CBR10C300J1GAC, IRF3710