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MUN5236T1 发布时间 时间:2025/6/26 12:15:40 查看 阅读:9

MUN5236T1是一款基于硅材料设计的高压整流二极管,广泛应用于开关电源、电机驱动和工业电子设备等领域。该器件具有出色的正向浪涌能力和反向恢复特性,能够在高频开关应用中提供高效的性能表现。
  这款二极管采用TO-220封装形式,适合高功率密度的应用场景,并具备较高的耐压能力和较大的电流承载能力。

参数

最大反向电压:600V
  最大正向平均电流:3A
  峰值正向浪涌电流:400A
  反向恢复时间:50ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  热阻(结到壳):2°C/W

特性

MUN5236T1的主要特点是其卓越的浪涌电流处理能力,这使其非常适合于需要承受瞬态电流冲击的场合。此外,其快速的反向恢复时间能够减少开关损耗,提高系统效率。
  该二极管还具备低漏电流和高可靠性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能表现。
  其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和维护,进一步提升了产品的实用性。

应用

MUN5236T1适用于多种高压整流场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源中的整流器和续流二极管
  2. 电机驱动电路中的保护二极管
  3. 太阳能逆变器和其他工业电子设备中的高频整流
  4. 通信电源和不间断电源(UPS)系统的整流模块
  由于其强大的电流承载能力和快速恢复特性,这款二极管是许多高要求应用的理想选择。

替代型号

MUR160T1
  MUN5236TP
  MBR3060T1

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MUN5236T1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)100k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大202mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MUN5236T1OS