PQ1CZ31 时间：2025/8/28 3:09:42 阅读：25

PQ1CZ31 是一款由罗姆（Rohm）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适合在开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中使用。该MOSFET采用小型化封装，便于在空间受限的电路设计中应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大56mΩ（在Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

PQ1CZ31 MOSFET具备多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该特性在高电流应用中尤为重要，有助于降低功耗和发热。
　　其次，该器件具有较高的栅极耐压能力（±20V），使得其在驱动过程中更加稳定，降低了因过电压导致损坏的风险。同时，其额定漏源电压为30V，适合中低压功率转换场景。
　　此外，PQ1CZ31采用SOT-223封装，具有良好的热性能和较小的封装体积，适用于紧凑型PCB布局。该封装形式也便于散热设计，确保在较高负载下仍能维持稳定运行。
　　该MOSFET的连续漏极电流为5.6A，在适当的散热条件下可以支持更高的电流负载，适用于多种中功率电源应用。其最大功率耗散为2W，在设计时需考虑良好的散热措施以确保长期稳定运行。

应用

PQ1CZ31 主要应用于各种电源管理和开关电路中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及LED照明驱动电路。
　　在开关电源中，PQ1CZ31用于高效地切换高频率电流，提高电源转换效率并减少能量损耗。在DC-DC转换器中，该MOSFET作为主开关器件，实现电压的升压或降压功能，广泛用于便携式设备和嵌入式系统。
　　在电池管理系统中，PQ1CZ31可用于控制电池充放电路径，实现高效的能量管理和保护功能。在电机驱动电路中，其低导通电阻和高电流能力使其能够有效地驱动小型直流电机或步进电机。
　　此外，该MOSFET也可用于LED驱动电路中的开关控制，实现高效的恒流调节和调光功能。由于其封装小巧且性能稳定，PQ1CZ31也适用于各种消费类电子产品和工业控制设备。