时间：2025/9/14 9:48:50
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BUK962R8-60E,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有极低的导通电阻和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
漏极电流(Id)：150A
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ（最大值）
栅极电压(Vgs)：±20V
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK962R8-60E,118 MOSFET采用了恩智浦的先进TrenchMOS技术，使其在60V的工作电压下仍能保持极低的导通电阻，仅为2.8mΩ，从而显著降低了导通损耗。这种低Rds(on)特性使得该器件非常适合用于高电流应用，如DC-DC转换器、服务器电源系统以及电动汽车中的功率管理系统。
此外，该MOSFET具有高达150A的漏极电流能力，能够支持高功率密度设计，同时其200W的功率耗散能力确保了在高负载条件下依然稳定运行。器件的栅极电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，适用于各种栅极驱动电路设计。
该器件采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有优良的热性能，便于散热并提高系统可靠性。它还具有出色的雪崩能量耐受能力，可有效防止因电压尖峰造成的损坏，提升整体系统的稳定性与耐用性。
在制造工艺方面，BUK962R8-60E,118符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，广泛应用于工业自动化、电信设备、消费类电源以及新能源系统等领域。
BUK962R8-60E,118广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的电子系统中。例如，它可以用于服务器和电信设备的电源供应系统，实现高效的DC-DC转换；在电动汽车和混合动力汽车中，该器件可用于电池管理系统和车载充电器；此外，它还可用于工业电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及高性能计算设备的电源模块等场景。
SiMOS Si7165DP, IRF1405, STP150N6F6AG, IPP150R2K5N3 G
